application of mosfet in the temperture compensation of d c amplifirs

Publication Title Name :application of mosfet in the temperture compensation of d.c. amplifirs \
Publication year :Thesis 1980
Publication Address :rezk allah, maher elyon.
Main Category :Physics
Main & Sub Category :621 Applied physics - electronics &communication
Vol :-
Dewey Decimal Classification (DDC)No :621.13
Article Title :application of mosfet in the temperture compensation of d.c. amplifirs \
Statement of responsibility :maher elyon rezk allah ; supervised by moustafa sadek metwale, nabil naoom hanaa.
Place of publication :-
Name of publisher :-
Date of publication :1980.
Publication Extent :200 p. ;
Publication Dimensions :23 cm.
Topical term :electronics &communication.
Leader :00000naa#a2200000uu#4500
ISBN :10108270
Original BibID :FLS
Date and time of last modification :20131003122747.0
General informatio :/ c)1980. a)200 p. ; b)ill. ; c)23 cm. a)electronics &communication./metwale, moustafa sadek, / supervisor. hanaa, nabil naoom, / co-supervisor. cairo university. / faculty of engineering. -department of electrical engineering./a)includes bibliographical references./a)metwale, moustafa sadek, e)supervisor. a)hanaa, nabil naoom, e)co-supervisor. a)cairo university. b)faculty of engineering. b)department of electrical engineering./= استخدام الترانستورز ذو التاثير المجالى فى التعويض الحرارى لمكبرات التيار المستمر. a)= استخدام الترانستورز ذو التاثير المجالى فى التعويض الحرارى لمكبرات التيار المستمر. يقدم هذا البحث تطبيقا جديدا لنبائط ترانستورات اوكسيد السيلكون المعدنيه ذو التأثير المجالى فى حل مشكله الازاحه فى خواص مكبرات التيار المستمر تحت تأثير درجات الحراره التى تتراوح بين 30الى 120 درجه مئويه. وفى هذا البحث تستخدم هذه النبطيه فى دائره الدخل للمكبر ويمكن استعمال هذا النوع من النبائط لاعطاء معامل درجه حراره موجب او صغرى او سالب القيمه تبعا لقيمه جهد الانحياز المطبق على هذه النبطيه . ومن ثم فانه يمكن ضبط جهد الانحياز لتعطى النبطيه معامل درجه حراره فى الاتجاه المناسب ليلاشى معامل درجه الحراره الناتج من مكبر التيار المستمر . وبذلك يمكننا الحصول على معامل درجه حراره منخفض للمكبر الكلى الناتج من المرحلتين معا. وفى هذا البحث تم فحص الصيغ المختلفه التى تعطى علاقه تيار المصب بجهد البوابه لهذه النبائط وذلك من ناحيه عملهم عند معامال درجه الحراره الصغرى ,ومن هذه الصيغ تم استنتاج معامل التوصيل لكل من المنبع للمصب ومن البوابه للقاعده . ولقد وجد ان نقطه الانحياز للعمل عند معامل درجه الحراره الصغرى تكون فى منطقه التشبع لخصائص هذه النبائط. ان معظم النبائط المستعمله وجدت انها تعطى خصائص خطيه وفى البحث تم دراسه تأثير درجات الجراره على كلا من النبائط ومن ومن ثم امكن ايجاد التعبير الرياضى لكل من تيار المصب وجهد البوابه للعمل عند معامل درجه الحراره الصغرى , وقد تأكد لنا صحتها بالتجارب المعمليه./a)يقدم هذا البحث تطبيقا جديدا لنبائط ترانستورات اوكسيد السيلكون المعدنيه ذو التأثير المجالى فى حل مشكله الازاحه فى خواص مكبرات التيار المستمر تحت تأثير درجات الحراره التى تتراوح بين 30الى 120 درجه مئويه. وفى هذا البحث تستخدم هذه النبطيه فى دائره الدخل للمكبر ويمكن استعمال هذا النوع من النبائط لاعطاء معامل درجه حراره موجب او صغرى او سالب القيمه تبعا لقيمه جهد الانحياز المطبق على هذه النبطيه . ومن ثم فانه يمكن ضبط جهد الانحياز لتعطى النبطيه معامل درجه حراره فى الاتجاه المناسب ليلاشى معامل درجه الحراره الناتج من مكبر التيار المستمر . وبذلك يمكننا الحصول على معامل درجه حراره منخفض للمكبر الكلى الناتج من المرحلتين معا. وفى هذا البحث تم فحص الصيغ المختلفه التى تعطى علاقه تيار المصب بجهد البوابه لهذه النبائط وذلك من ناحيه عملهم عند معامال درجه الحراره الصغرى ,ومن هذه الصيغ تم استنتاج معامل التوصيل لكل من المنبع للمصب ومن البوابه للقاعده . ولقد وجد ان نقطه الانحياز للعمل عند معامل درجه الحراره الصغرى تكون فى منطقه التشبع لخصائص هذه النبائط. ان معظم النبائط المستعمله وجدت انها تعطى خصائص خطيه وفى البحث تم دراسه تأثير درجات الجراره على كلا من النبائط ومن ومن ثم امكن ايجاد التعبير الرياضى لكل من تيار المصب وجهد البوابه للعمل عند معامل درجه الحراره الصغرى , وقد تأكد لنا صحتها بالتجارب المعمليه./ thesis (m. sc.) - cairo university. faculty of engineering. department of electrical engineering. a)thesis (m. sc.) - cairo university. faculty of engineering. department of electrical engineering. a)Text in English, Abstracts in Arabic and English. 1)M 2)M. Sc. b)1980. c)moustafa sadek metwale, nabil naoom hanaa./ this research presents a new application for mosfet devices in solving the problem of drift in the characteristics of d.c. amplifiers under the effect of temperature in the rang 30 C -120 c. the mosfet device is used as an input stage for the d.c. amlifier. the device can be operated to give a positive, negative or zero temperature coefficient depending on its biasing conditions. the mosfet biss is adjusted to provide a drift in the proper direction to compensate for the drift in the main amplifier. the different models of the voltage-curent relation for mosfets are examined from the point of view of their operation at zero temperatature coefficient. expressions for the gate-substrate and drain-source conductances are also given. it was found that the biasing point for operation at zero temperature coefficient occurs in the saturation region. a)this research presents a new application for mosfet devices in solving the problem of drift in the characteristics of d.c. amplifiers under the effect of temperature in the rang 30 C -120 c. the mosfet device is used as an input stage for the d.c. amlifier. the device can be operated to give a positive, negative or zero temperature coefficient depending on its biasing conditions. the mosfet biss is adjusted to provide a drift in the proper direction to compensate for the drift in the main amplifier. the different models of the voltage-curent relation for mosfets are examined from the point of view of their operation at zero temperatature coefficient. expressions for the gate-substrate and drain-source conductances are also given. it was found that the biasing point for operation at zero temperature coefficient occurs in the saturation region./
Cataloging Source :130205s1980####xx#d###frmb###000#0#eng#c
DDC No :2)21 a)621.13
Personal Name :a)rezk allah, maher elyon.
Publication data field :a)application of mosfet in the temperture compensation of d.c. amplifirs \ c)maher elyon rezk allah ; supervised by moustafa sadek metwale, nabil naoom hanaa.
physical descripti :-
Topical term :-
Language Code :a)EG EULC c)EG EULC a)eng b)ara b)eng
Additional input :-
Author Name :rezk allah, maher elyon.

 

Featured Article

Related Article

Articles